材料研发工程师

地点：无锡/上海

职位要求：

• 利用原子沉积（ALD）系统开发先进的薄膜材料，以提供符合我们产品规格的核心材料。

• 主导薄膜/新材料（high k）及 TiN 电极薄膜研发，包括工艺制成、薄膜沉积、结构性能测量与分析，如（FIB / SEM，XRF，XRD，应力，XPS，AFM，椭偏仪等 ）。

• 定义工艺 specs，并与测试，设计，产品团队合作来提升 Cell 的可靠性以满足产品需求。

• 结构分析的器件电学分析（CV/IV/PV，breakdown，retention，imprint，endurance）。

• 有过往新型存储器材料，产品，器件研发经验（FRAM, RRAM，PCM，MRAM）。

• 有 highk 材料及 ALD 工艺研发经验。

• 有项目管理，团队管理经验者优先。 

经验：

• 2-5 年学术界或工业界半导体器件，物理，材料经验。

• 硕士及以上学位（材料，半导体物理，EE）。

• 在存储器行业（FRAM, DRAM，NAND / NOR）中 Cell/array 材料开发经验者优先。